12月12日 公式のニュースによると 電力電子産業の"CPU"としてIGBT (絶縁ゲート双極トランジスタ) は,電子革命における最も代表的な製品として国際的に認められています複数のIGBTチップが統合され,IGBTモジュールを形成するために一緒にパッケージ化され,より大きなパワーとより強い熱消耗能力を有します.新エネルギー自動車の分野において非常に重要な役割と影響力を発揮している.
封鎖を突破し,IGBTコアリソースの独立した制御を実現するために,2019年にドンフェン社はCRRCと手を結び,Zhixin Semiconductor Co., Ltdを設立しました.自動車グレードのIGBTモジュールを独自に開発・生産し始めました2年後2021年7月 武漢東フェン新エネルギー自動車工業公園で 年間生産量30万台の IGBT 生産ラインが 公式に稼働開始されましたこれは中国のIGBTモジュールの最初の完全自動密封パイプラインです.
10分で80%充電すれば ダンフェンシリコンカービッドモジュールは来年量産される
IGBTモジュールと3代目の半導体のアップグレード製品として,シリコンカービッド電源モジュールは,損失が低く,効率が高く,高温耐性と高電圧報告によると,シリコンカーバイド電源モジュールプロジェクトは2021年1月にジキシンで設立されました. 現在,プロジェクトが成功裏に完了し,2023年にドンフェン独立新エネルギー旅客車で装備され,大量生産を達成するこのモジュールは,新しいエネルギー車両の電気アーキテクチャを400Vから800Vに繰り返すのを促進し,80%の10分充電を達成することができます.車両の走行距離をさらに改善し 車両全体のコストを削減します.
ITホームは,東フェン自動車の2億8000万元投資のパワーモジュールプロジェクトの第2段階も加速していると知りました.このプロジェクトは,既存の生産ラインを最適化し,IGBTモジュールの出力を向上させる.注文要件に応じてIGBTモジュールとシリコンカービッド電源モジュールを生産する2つの新しい生産ラインを開設します.ドンフェン新エネルギー車両の生産に年間200万のパワーモジュールが提供される.